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電解液溫度對氧化膜的影響
實踐證明,電解液溫度升高氧化膜溶解速度加快,膜層生長速度減慢。在無添加及的硫酸電解液中如溫度超過26℃生長的膜層疏松有粉末,耐蝕性能下降。電解液溫度低膜層溶解速度慢。膜層生長速度快。溫度越低越易生成厚且致密的膜層。普通氧化溫度一般都控制在17—22℃之間。因為在這個溫度下的生成的膜層多孔,吸附性能好,富有彈性,抗腐蝕性能也較好。但耐磨性能不理想。硬質(zhì)氧化溫度一般在10℃以下。當溶液中加入2%左右的草酸后,普通氧化的溫度在30℃時也能達到所需要求。
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