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氣相沉積法可籠統(tǒng)地分為物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)兩大類。氣相沉積法是將基體放在高溫真空室中,將所要沉積的金屬制成靶體(PVD)或易揮發(fā)物質(zhì)(CVD)通過物理或化學(xué)方法使金屬沉積在基體表面上,從而形成以后化學(xué)鍍所需的活性層。
氣相沉積法制得的活性層與基體結(jié)合緊密,導(dǎo)致鍍層金屬與基體的結(jié)合也很緊密,且有時(shí)可以制得用常規(guī)方法難以得到的活性層,但該法通常需要昂貴的高真空設(shè)備,沒有區(qū)域選擇性,要求基體耐高溫,體積不宜太大,有時(shí)還要將鍍層金屬制成易揮發(fā)的物質(zhì)(通常有毒),因而限制了它在化學(xué)鍍中的應(yīng)用。